项目简介：

RIE-100反应离子刻蚀系统，是中国科学院微电子所在半导体Si、GaAs器件及集成电路微细加工工艺方面的研究成果，系统先进实用，速率高均匀性重复性好，广泛应用于集成电路和半导体器件、平板显示、光伏等领域。

主要特点与技术指标：

1. 4”芯片向下兼容；具有反应离子/磁增强两种工艺模式；

2. 刻蚀材料包括：硅基材料Si /SiNx /SiO2 /poly-Si /光刻胶等；自动化工艺；

3. 标配4路气体 O2/CF 4/SF6 / CHF 3 等；

4. 采用水冷，可选He 背冷；可根据用户需求定制。

5. 均匀性为4英寸片≤±5%；

6. 真空系统为分子泵机组，本底真空优于5×10-3 Pa；

7. 人机界面采用Windows环境触摸屏控制，菜单自动/手动两种模式。