项目简介：

ICP-PECVD200型等离子体化学气相沉积系统是专门为有机电子器件低温柔性薄膜封装而设计的系统。该系统实现有机/无机交替结构封装薄膜低温、同源、同腔生长。薄膜均匀性好，无机薄膜致密性高、无针孔缺陷。交替结构薄膜水氧阻挡性强。该系统适合科研单位和小规模生产用户使用。

主要配置及性能指标：

1. 沉积材料：无明显界面的有机/无机交替结构薄膜，也可单一的SiO2、Si3N4等无机材料或单一的SiOxCyHz等有机材料；

2. 样品台尺寸：8英寸兼容以下尺寸；

3. 薄膜非均匀性：<1%（8英寸）；

4. 样品台温度：50 oC ~100oC；

5. 水氧阻挡性能：单一周期有机/无机薄膜>3.66×10-4g/m2/day。