项目简介：

PECVD-200系统是专为使用有毒和易燃气体（如：P烷、As烷、甲烷以及氢气等）淀积薄膜设计的，具有更严格的密封措施和排风装置，淀积温度范围 100～450℃可调，可选600℃。可确保薄膜的高质量和工作的安全性。生成高质量SiNx、SiO2、α-Si和Poly-Si等薄膜。广泛应用于微电子和光电子领域科研和生产。

系统特点及技术指标：

1、成膜质量高。采用特殊结构设计，工艺过程反应室不存在漏大气的问题，生成膜质量很高，采用多级匀气系统，薄膜均匀性好；

2、淀积材料：二氧化硅，氮化硅，α-Si和Poly-Si等薄膜；

3、淀积温度范围宽（100～450℃可调），工作控温精度在± 1℃；

4、工艺自动化，触摸屏控制、实时显示过程的状况；

5、均匀性误差：≤ ± 4％ ( 4英寸内 )；

6、标配气路SiH4/N2/NO2/CH4，可定制；