项目简介：本项目研制了一种新型的磁随机存取存储器（MRAM）原理型器件，这种新型磁随机存取存储器摈弃了传统的采用椭圆形磁性隧道结作为存储单元和双线制脉冲电流产生和合成脉冲磁场驱动比特层磁矩翻转的做法，而是采用纳米尺度下的闭合型磁性隧道结作为存储单元，并采取正负脉冲极化电流直接驱动比特层磁矩翻转的工作原理，可以克服常规MRAM所面临的相对功耗高、存储密度低等瓶颈问题。

应用行业：电子与信息

专利情况：已有专利1个

产业化前景分析:基于这一新的设计理念和结构，可以极大的提升研制高性能低成本MRAM产品的可行性，从而提高MRAM的生存力和竞争力，有利于加快国际上MRAM产品研发及产业化的步伐。 新型磁随机存储器(MRAM)是今后新一代计算机、信息和通信技术中的核心器件，具有数据非易失性、抗辐射性、高速、高密度、低功耗、长寿命等特点。在未来信息产业、家电和工业设施方面拥有高达数百亿的市场价值，是推动一个国家经济可持续发展的一种重要科技和产业技术。

应用范围：单以计算机为例，可用于磁随机存储器(MRAM)、高密度高容量磁硬盘、高频CPU、大屏幕长寿命低功耗液晶显示器等，基本上构成了今后一段时期计算机的主要核心部件。