成果简介

本成果采用MBE技术成功研制了InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱结构半导体激光器， 实现了四元合金组分精确控制，掌握了InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器材料的外延生 长技术。通过设计窄线宽激光器结构，合理优化制备工艺，并结合光束整形、多光束 合束与光纤耦合技术，实现了高功率、高光束质量激光输出，为实现中红外激光输出 开辟了新的技术途径。

主要技术指标

单管器件连续输出功率：＞250mW（环境温度20°C）； 中心波长：1908.1nm； 光谱宽度：1.2nm； 光纤耦合模块连续输出功率：3.28W； 中心波长：1908.04nm； 光谱线宽（FWHM）：1.6nm。

应用范围

在激光雷达、激光探测等国防和民用领域具有广泛的应用。