项目简介：碳化硅是制造高频、高温、大功率半导体器件的理想衬底材料，是发展第三代半导体产业的关键基础材料，已成为当前全球半导体产业的前沿和制高点。然而，碳化硅单晶制备技术被少数国家所垄断，并对我国实行禁运，而国内对碳化硅晶片具有迫切需求，已成为我国重要的战略物资，在《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》中明确列为“新一代信息功能材料及器件”优先主题。该项目目前研发成果和工艺设备水平处于较为成熟阶段，已实现批量产业化生产，没有明显的技术瓶颈。该项目的研发成功填补国家在这一领域的空白，带动了上游的碳化硅原材料产业和下游的宽禁带半导体产业等的发展，对满足国家安全需求和推动我国高端微电子和光电子产业的发展具有重要意义。基于碳化硅材料制备的高端微电子和光电子器件，在航天航空、环境和生命科学、汽车和交通运输、电力系统和供电网络、无线通讯、蓝色固体激光和固体照明等各个行业都有重要的应用，对这些行业的产业发展也具有带动作用。

专利情况：已有专利27个

产业化前景分析：SiC单晶衬底的优异物理化学性质是第三代半导体材料中最为成熟的，在半导体固态照明、航空、航天、电力电子、通信、石油勘探、光存储、显示等领域具有重要的应用前景，已成为当前全球半导体产业的前沿和制高点。

应用范围：碳化硅晶片物理化学性质稳定，无毒性，制备过程对环境无污染。采用碳化硅衬底制作的LED使用低压电源，能效高，耗电量少，在同样亮度下耗电量仅为普通白炽灯的1/10，用于景观照明可节能70%，用于交通信号灯可节能80%。碳化硅基电力电子器件可以大幅提高电力系统的转换效率，降低功率损耗，在混合动力汽车和电动汽车等交通运输行业可提高效率约2-10%(随负荷状态而变化)，在计算机电源中可提高效率4-5%，在太阳能发电中可提高效率4%，在水泵、风机电动机驱动中可望提高效率约2%，在电力领域可减少损耗50-70%。