项目简介：该项目利用二维电子气结构，实现了高反向击穿电压、低串联电阻的氮化镓肖特基二极管。申请了有关二极管设计的发明专利。 二、具体介绍 该二极管的反向击穿电压大于1600伏，并可以在从零下270度至400度温区可靠地工作。反向恢复时间小于20纳秒

产品性能：首次提出了利用二维电子气结构，实现了高反向击穿电压、低串联电阻的氮化镓肖特基二极管。

项目成熟度：研制阶段

应用行业：电子与信息

产业化前景分析：该器件的制造工艺类似于发光二极管，但较为简单，制造成本也略低与发光二极管，单位芯片面积制造的器件比氮化镓发光二极管利润至少高5倍以上。

应用范围：在大功率电源、三相功率因数校正电路、三相大功率交流电机变速驱动电路等场合有着广泛的应用。

对投资者和投资环境的要求：总的设备投资应当可以控制在2000万元以内。如果以一台MOVPE设备的生产规模计算，大致需要20个工人和技术人员。