成果简介

本成果采用多芯电注入结构，研制的激射波长803.3nm大孔径P面出光垂直腔面发 射半导体激光器主要技术指标达到国际先进水平。

主要技术指标

激射波长：803nm； 单管室温连续输出功率：0.3W（孔径300μm）； 转换效率：17%。

应用范围

在集成光电子有源器件和空间光学及光计算机并行处理上有应用前景。