一、成果名称：二硫化钼纳米薄膜光电性质与器件

二 、成果简介：

  单层或少层二硫化钼（MoS 2 ）是一种类石墨烯材料，具有直接带隙能带结构，在半导体纳米光电器件中有重要地应用价值。本成果组利用机械剥离及化学气相沉积法成功生长出少层 MoS 2 纳米薄膜，获得了不同层数 MoS 2 纳米薄膜拉曼光谱变化规律，材料力学性质优异，并具有体材料所不具备的红色发光。

三、主要技术指标：

  薄膜厚度：1.6 nm ～ 2.8 nm；

  禁带宽度：1.29 ～ 1.90 eV；

  激发/发射波长：532 nm/670 nm。

四、应用范围：

  可应用于场效应晶体管、传感器、非线性光学器件、光学开关等。