成果简介

单层或少层二硫化钼（MoS2）是一种类石墨烯材料，具有直接带隙能带结 构，在半导体纳米光电器件中有重要地应用价值。本成果组利用机械剥离及化学 气相沉积法成功生长出少层 MoS2 纳米薄膜，获得了不同层数 MoS2 纳米薄膜拉 曼光谱变化规律，材料力学性质优异，并具有体材料所不具备的红色发光。 主要技术指标

薄膜厚度：1.6 nm ～ 2.8 nm； 禁带宽度：1.29 ～ 1.90 eV； 激发/发射波长：532 nm/670 nm。

应用范围

可应用于场效应晶体管、传感器、非线性光学器件、光学开关等