成果简介

微光夜视系统中核心器件微通道板普遍采用玻璃纤维拉制技术制造，随着性 能要求不断提高和应用领域扩展（紫外成像探测等），传统玻璃微通道板器件难 以满足要求。本成果针对四代微光像增强器对低噪声、高增益微通道板的技术需 求，开展了硅微通道板电子倍增器技术研究。采用半导体刻蚀技术制备出高深宽 比硅微通道板基体、采用厚层氧化技术完成基体绝缘化、采用原子层沉积技术制 备了薄膜打拿极，在国内首次研制出硅微通道板电子倍增器样品。

主要技术指标

板面直径：Φ18mm； 通道区域直径：Φ16； 通道尺寸：8×8mm； 通道周期：10mm； 通道深宽比：＞40； 开口面积比：＞65%； 通道偏置角：7°； 体电阻：3×108W（1Pa，500V）； 电子增益：500～800（700V）。

应用范围

研究成果可用于军用微光夜视及空间探测等领域