一、成果名称：2μm高功率半导体激光泵浦光源

二 、成果简介：

  本成果采用 MBE 技术成功研制了 InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱结构半导体激光器，实现了四元合金组分精确控制，掌握了 InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光器材料的外延生长技术。通过设计窄线宽激光器结构，合理优化制备工艺，并结合光束整形、多光束合束与光纤耦合技术，实现了高功率、高光束质量激光输出，为实现中红外激光输出开辟了新的技术途径。

三、主要技术指标：

  单管器件连续输出功率：＞250mW（环境温度 20°C）；

  中心波长：1908.1nm；

  光谱宽度：1.2nm；

  光纤耦合模块连续输出功率：3.28W；

  中心波长：1908.04nm；

  光谱线宽（FWHM）：1.6nm。

四、应用范围：

  在激光雷达、激光探测等国防和民用领域具有广泛的应用。